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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是

由氧化鋅晶粒及晶界物質組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質而呈N型半導體，晶界物質中含有大量金屬氧化物形成大量界面態，這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘，整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯的組合體。

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